mgr Agnieszka Puchalska

Telefon: (71) 375 9343
Login: apuchalska
E-mail: login@ifd.uni.wroc.pl


Publikacje

  • W. Koczorowski, T. Grzela, A. Puchalska, M.W. Radny, L. Jurczyszyn, S.R. Schofield, R. Czajka, N.J. Curson,Higher order reconstructions of the Ge(001) surface induced by a Ba layer.,Applied Surface Science 435 (2018) 438–443
  • W. Koczorowski, T. Grzela, A. Puchalska, L. Jurczyszyn, R. Czajka, M.W. Radny,,Reversible, long-term passivation of Ge(001) by a Ba-induced incorporated phase,Applied Surface Science 419 (2017) 305–310
  • W. Koczorowski, A. Puchalska, T. Grzela, L. Jurczyszyn, S. R. Schofield, R. Czajka, N. J. Curson, M. W. Radny,STM and DFT study on formation and characterization of Ba-incorporated phases on a Ge(001) surface,Physical Review B 93 (2016) 195304
  • W. Koczorowski, A. Puchalska, T. Grzela, M. W. Radny, L. Jurczyszyn, S. R. Schofield, R. Czajka, N. J. Curson,Initial growth of Ba on Ge(001): An STM and DFT study,Physical Review B 91 (2015) 235319
  • A. Puchalska, A. Racis, L. Jurczyszyn, M.W. Radny,Structural and electronic properties of chain-like structures formed by mixed PbAl dimers on Si(001) — Computational DFT study,Surface Science 608 (2013) 188-198.